一種超高壓VDMOS集成電路芯片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111206527.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113809161B 公開（公告）日 2022-06-24
申請公布號 CN113809161B 申請公布日 2022-06-24
分類號 H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉秀梅;劉鋒;殷允超;周祥瑞 申請（專利權(quán)）人 捷捷微電（無錫）科技有限公司
代理機構(gòu) 北京神州信德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 朱俊杰
地址 214000 江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園B-221
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種超高壓VDMOS集成電路芯片及其制備方法，包括至少一個浮空場板（9）；所述浮空場板（9）具有至少三個端部。本發(fā)明通過優(yōu)化終端保護區(qū)中浮空場板（9）的形貌，增長了浮空場板（9）的長度，來增強終端保護區(qū)電場密度，提升終端保護區(qū)耐壓，進而提升整個VDMOS集成電路芯片的可靠性。