一種基于原子層沉積的非晶硅薄膜制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011637836.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114686844A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114686844A 申請公布日 2022-07-01
分類號 C23C16/24（2006.01）I;C23C16/44（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 連水養(yǎng);許嘉巡;趙銘杰 申請（專利權(quán)）人 廈門理工學(xué)院
代理機構(gòu) 廈門智慧呈睿知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 361024福建省廈門市集美區(qū)理工路600號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種基于原子層沉積的非晶硅薄膜制備方法，其方法包括：將帶有H基或OH基的襯底放入反應(yīng)腔體；向所述反應(yīng)腔體內(nèi)注入硅源氣體，以使得所述硅源氣體與所述襯底表面的H基或OH基進(jìn)行反應(yīng)，進(jìn)而在所述襯底表面生成新的配基；向所述反應(yīng)腔體內(nèi)注入惰性氣體，以吹掃出所述反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)；向所述反應(yīng)腔體內(nèi)注入等離子氣體，并重復(fù)以上步驟，以在所述襯底表面生成非晶硅薄膜。解決了現(xiàn)有的等離子體化學(xué)氣相沉積制備出來的薄膜含有針孔的問題，且改善了在高深寬比或復(fù)雜表面上的薄膜階梯覆蓋性低的問題。