隔離開關(guān)觸頭極
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202210112272.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114582665A | 公開(公告)日 | 2022-06-03 |
申請公布號 | CN114582665A | 申請公布日 | 2022-06-03 |
分類號 | H01H33/04;H01H33/08;H01H33/14;H01H33/18 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 王閱;胡剛;袁高普;施長云 | 申請(專利權(quán))人 | 上海京硅智能技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 杭州偉知新盛專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 馮儀紅 |
地址 | 200131 上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)納賢路800號1幢B座9樓908-3室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開一種隔離開關(guān)觸頭極,隔離開關(guān)包括至少兩個層疊的觸頭極模塊,每層觸頭極模塊分別包括座體及裝于座體的動觸頭組件、靜觸頭組件、滅弧柵組件和磁體,同一層觸頭極模塊的兩組靜觸頭組件同時左接或右接,相鄰層觸頭極模塊的靜觸頭組件交替左接或右接,其中同一層觸頭極模塊設(shè)置有兩組靜觸頭組件、兩個滅弧柵組件及四組磁體,兩組靜觸頭組件分別設(shè)置于座體的一條對角線位置,兩個滅弧柵組件分別設(shè)置于座體的另外一條對角線位置,四組磁體分布于隔離開關(guān)處于分閘狀態(tài)和合閘狀態(tài)時動觸頭中心線的40°扇面范圍內(nèi)且位于相應(yīng)動觸頭從合閘到分閘位置的軌跡線的上方或下方。本發(fā)明綜合運用多種措施而改進(jìn)了隔離開關(guān)的滅弧效果。 |
