一種納米復(fù)合隱身材料及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010479085.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111761900A | 公開（公告）日 | 2020-10-13 |
| 申請公布號(hào) | CN111761900A | 申請公布日 | 2020-10-13 |
| 分類號(hào) | B32B27/08(2006.01)I | 分類 | 層狀產(chǎn)品; |
| 發(fā)明人 | 游少雄 | 申請（專利權(quán)）人 | 默格材料（蘇州）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州幫專高智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 胡洋 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)納米城西北區(qū)2幢304室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種納米復(fù)合隱身材料及其制備方法，包括YbF3上表面層、YbF3下表面層以及吸收層，吸收層位于YbF3上表面層和YbF3下表面層之間，吸收層包括層疊的樹脂基底層和ZnSe層。YbF3上表面層和YbF3下表面層與吸收層之間均有折射率差異，樹脂基底層和ZnSe層之間也具有折射率差異，上述折射率差異有利于增強(qiáng)電磁波在納米復(fù)合隱身材料內(nèi)部反射，從而增強(qiáng)隱身效果；YbF3和ZnSe取代部分樹脂基底層，使得成本能夠有效進(jìn)行控制；樹脂基底層通過不同樹脂混合或?qū)盈B，改變樹脂基底層具體反射率，從而使吸收層對電磁波的吸收率可以調(diào)節(jié)，從而增加納米復(fù)合隱身材料的調(diào)節(jié)窗口，其應(yīng)用范圍更廣。?? |
