一種高出光率深紫外LED

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022285008.0 申請日 -
公開（公告）號 CN213782036U 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN213782036U 申請公布日 2021-07-23
分類號 H01L33/48（2010.01）I;H01L33/60（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王志濤 申請（專利權(quán)）人 揚州紫王優(yōu)衛(wèi)科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳紫晴專利代理事務所（普通合伙） 代理人 陳映輝
地址 225100江蘇省揚州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)開發(fā)西路217號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種高出光率深紫外LED，包括基板、圍壩、透光窗口和深紫外LED芯片，所述圍壩設于基板上，所述圍壩上開設有深紫外LED芯片放置腔，所述深紫外LED芯片倒裝設于深紫外LED芯片放置腔內(nèi)，所述深紫外LED芯片的背面為發(fā)光面，所述深紫外LED芯片的正面設于基板上，所述透光窗口覆蓋設于圍壩上，所述深紫外LED芯片放置腔內(nèi)壁為拋光內(nèi)壁，所述深紫外LED芯片放置腔內(nèi)壁上鍍設有紫外高反射介質(zhì)膜。本實用新型涉及LED光源技術(shù)領(lǐng)域，具體是提供了一種通過光學拋光配合真空鍍膜技術(shù)，將側(cè)向發(fā)出的紫外線能量反射至正面，提高深紫外LED出光效率的高出光率深紫外LED。