二氧化硅快速沉淀法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN03135010.0 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN1233556C | 公開(公告)日 | 2005-12-28 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN1233556C | 申請(qǐng)公布日 | 2005-12-28 |
分類號(hào) | C01B33/12;C01B33/18 | 分類 | 無(wú)機(jī)化學(xué); |
發(fā)明人 | 韓志萍;張建梅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 湖州標(biāo)立節(jié)能技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 313000浙江省湖州市區(qū)碧潮苑216幢203室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及二氧化硅沉淀工藝,在水洗自然沉淀的基礎(chǔ)上,添加碳酸氫銨(或碳酸銨)作助沉淀添加劑,并用能吸附雜質(zhì)的金屬磁條作攪拌棒,將硅微粉漿液與助沉淀添加劑一起攪勻,10分鐘后提出容器外,用清水沖洗后備用。漿液靜止沉淀6-12小時(shí),分層后用清水輕洗硅微粉沉淀表面兩次,經(jīng)機(jī)械離心后,在600-650℃溫度下干燥,可得到疏松,易破碎,純度在98~99%以上的硅微粉。該新工藝一是解決了硅微粉沉淀時(shí)間長(zhǎng),廢漿液殘留量高的問(wèn)題。二是解決了硅微粉成品易結(jié)巴,后處理難的問(wèn)題。三是提高了硅微粉成品的純度。此工藝可用于中位粒徑小于6-7微米硅微粉的沉降,也可用于自然沉淀后粒徑在1微米以下廢漿液中超細(xì)硅微粉的沉淀回收。 |
