一種極板間距可調(diào)容性耦合等離子體處理系統(tǒng)及其方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810391380.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110416046B 公開（公告）日 2022-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN110416046B 申請(qǐng)公布日 2022-03-11
分類號(hào) H01J37/32（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 倪圖強(qiáng);梁潔;涂樂(lè)義;王偉娜 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海元好知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 包姝晴
地址 201201上海市浦東新區(qū)金橋出口加工區(qū)（南區(qū)）泰華路188號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種極板間距可調(diào)容性耦合等離子體處理系統(tǒng)及其方法，所述系統(tǒng)包含：上電極、下電極、橋聯(lián)環(huán)、外環(huán)導(dǎo)軌、接地環(huán)、傳片門；下電極通過(guò)橋聯(lián)環(huán)連接到外環(huán)導(dǎo)軌構(gòu)成下電極系統(tǒng)；外環(huán)導(dǎo)軌沿著刻蝕腔體內(nèi)壁上下移動(dòng)，且在某一特定位置上設(shè)置接地環(huán)，使外環(huán)導(dǎo)軌固定在所述接地環(huán)完成接地狀態(tài)，此時(shí)外環(huán)導(dǎo)軌把傳片門完全阻擋和屏蔽。所述系統(tǒng)克服傳統(tǒng)技術(shù)方案當(dāng)中存在的無(wú)法規(guī)避傳片門而導(dǎo)致的刻蝕工藝不對(duì)稱問(wèn)題及刻蝕工藝所需極板間距較大時(shí)傳片門處等離子體無(wú)效約束等缺陷。