化學氣相沉積裝置及基片溫度控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010979930.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114196944A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114196944A 申請公布日 2022-03-18
分類號 C23C16/46（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 姜勇;張昭 申請（專利權）人 中微半導體設備（上海）股份有限公司
代理機構 上海元好知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 周乃鑫;徐雯瓊
地址 201201上海市浦東新區(qū)金橋出口加工區(qū)（南區(qū)）泰華路188號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種化學氣相沉積裝置及基片溫度控制方法，所述裝置包括一反應腔，反應腔內設置通過旋轉軸進行支撐的基片托盤，基片托盤位于進氣噴頭下方，基片托盤上設有若干個向下凹陷的基片承載區(qū)，用于放置基片，基片托盤中設置多個第一獨立氣道，每個第一獨立氣道聯(lián)通到一個基片承載區(qū)，為基片的底面與基片承載區(qū)的上表面之間的凹坑空間通入成份獨立可調的導熱氣體，導熱氣體包含一種或多種氣體成份；基片托盤下方設置加熱器，加熱器圍繞旋轉軸設置，用于控制上方基片的溫度，基片利用凹坑空間內的氣體進行熱傳導以實現(xiàn)該基片的溫度控制。本發(fā)明實現(xiàn)基片托盤上各個晶圓之間的加熱溫度一致性。