一種等離子體處理裝置及其方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010987374.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114203506A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114203506A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01J37/32（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H01L21/3065（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙馗;杜若昕;吳狄;倪圖強 申請（專利權(quán)）人 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
代理機構(gòu) 上海元好知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐雯瓊;張妍
地址 201201上海市浦東新區(qū)金橋出口加工區(qū)（南區(qū)）泰華路188號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種等離子體處理裝置及其方法，該裝置包含：真空反應(yīng)腔，其內(nèi)具有下電極組件和可移動上電極組件；若干個升降裝置與可移動上電極組件連接以使其升降，升降裝置包含支撐柱和驅(qū)動裝置，驅(qū)動裝置用于驅(qū)動支撐柱以使可移動上電極組件升降；若干個氣體通道，分別由真空反應(yīng)腔外部延伸經(jīng)過真空反應(yīng)腔底部、支撐柱內(nèi)部、可移動上電極組件以將工藝氣體注入真空反應(yīng)腔內(nèi)；若干個導(dǎo)電可伸縮密封結(jié)構(gòu)，分別設(shè)置于支撐柱內(nèi)且環(huán)繞氣體通道的周圍。其優(yōu)點是：將升降裝置、氣體通道和密封結(jié)構(gòu)相結(jié)合，真空反應(yīng)腔頂部多次開關(guān)也不會影響可移動上電極組件，更容易保持所述可移動上電極組件和晶圓、下電極組件之間的同心度，保證了斜邊刻蝕的工藝效果。