一種等離子體處理方法、射頻發(fā)生器以及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010959556.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114188204A 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN114188204A 申請公布日 2022-03-15
分類號 H01J37/32（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張一川;葉如彬 申請（專利權(quán)）人 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海元好知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐雯瓊;張靜潔
地址 201201上海市浦東新區(qū)金橋出口加工區(qū)（南區(qū)）泰華路188號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種等離子體處理方法，包括：通過用戶端設(shè)置針對處理工藝中的多個(gè)步驟的外部調(diào)頻算法以及需調(diào)用的內(nèi)部調(diào)頻算法；在射頻發(fā)生器的存儲器中存儲多組內(nèi)部調(diào)頻算法；以及在工藝處理中，運(yùn)行所述外部調(diào)頻算法并且同時(shí)在至少兩個(gè)所述步驟中調(diào)用不同的所述內(nèi)部調(diào)頻算法，以使得射頻發(fā)生器的頻率匹配在不同步驟中的反應(yīng)腔的阻抗。本發(fā)明還公開了一種用于等離子體處理裝置的射頻發(fā)生器以及等離子處理裝置。