等離子體處理裝置及其工作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010877431.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114121582A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114121582A 申請公布日 2022-03-01
分類號 H01J37/305（2006.01）I;H01J37/32（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H01L21/3065（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉身健;連增迪;左濤濤 申請（專利權(quán)）人 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海元好知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 周乃鑫;徐雯瓊
地址 201201上海市浦東新區(qū)金橋出口加工區(qū)（南區(qū)）泰華路188號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種等離子體處理裝置，包括：反應(yīng)腔；第一進(jìn)氣件，其內(nèi)部具有第一凹槽，所述第一凹槽底端開設(shè)有若干第一通孔；第二進(jìn)氣件，安裝于所述第一進(jìn)氣件上，所述第一凹槽與所述第二進(jìn)氣件之間形成有腔體，所述第二進(jìn)氣件的進(jìn)氣口用于接入反應(yīng)氣體，所述第二進(jìn)氣件的出氣口用于流出反應(yīng)氣體，流出的反應(yīng)氣體流至所述腔體內(nèi)，并經(jīng)由第一通孔流至所述反應(yīng)腔內(nèi)；驅(qū)動裝置，其可以根據(jù)實際需要利用所述驅(qū)動裝置改變所述第一進(jìn)氣件與所述第二進(jìn)氣件之間的相對位置來改變待處理基片不同相位角上所述第一通孔中反應(yīng)氣體的流速。本發(fā)明可調(diào)整進(jìn)入反應(yīng)腔內(nèi)待處理基片不同相位角上氣體的流量，進(jìn)而使待處理基片不同相位角上的刻蝕情況可調(diào)。