一種垂直型磁電阻元件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611192685.X 申請日 -
公開（公告）號 CN108232003B 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN108232003B 申請公布日 2021-09-03
分類號 H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 夏文斌;郭一民;肖榮福;陳峻;麻榆陽 申請（專利權(quán)）人 上海磁宇信息科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海容慧專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 于曉菁
地址 201800 上海市嘉定區(qū)城北路235號二號樓二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種磁電阻元件，依次包括種子層、磁固定層、勢壘層、磁記憶層和覆蓋層。其中磁固定層的磁化方向不變且磁各向異性垂直于層表面，磁固定層又細(xì)分為具有面心立方晶格結(jié)構(gòu)的磁穩(wěn)定層，晶格轉(zhuǎn)化結(jié)合層和磁參考層。磁采用鐵鈷硼復(fù)合材料，且其磁激化方向可變并垂直于層表面。勢壘層位于磁參考層和磁記憶層之間，是一種氧化膜。種子層材料具有幫助磁穩(wěn)定層形成熱穩(wěn)定的面心立方晶格結(jié)構(gòu)的功能。高溫退火后磁參考層和磁記憶層中的鐵鈷硼從非晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)轶w心立方的晶態(tài)結(jié)構(gòu)。通過引入晶格轉(zhuǎn)化結(jié)合層將具有面心立方晶格結(jié)構(gòu)的磁穩(wěn)定層與上面具有體心立方結(jié)構(gòu)的鐵鈷硼參考層有機(jī)結(jié)合起來。本發(fā)明還提供了上述磁電阻元件的制備工藝。