一種磁性隧道結(jié)垂直反鐵磁層及隨機(jī)存儲(chǔ)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010044560.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113140670A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN113140670A 申請(qǐng)公布日 2021-07-20
分類號(hào) H01L43/08（2006.01）I;H01L43/10（2006.01）I;H01L27/22（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張?jiān)粕?郭一民;陳峻;肖榮福 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海磁宇信息科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海容慧專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 于曉菁
地址 201815上海市嘉定區(qū)工業(yè)區(qū)興順路558號(hào)2幢2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種磁性隧道結(jié)垂直反鐵磁層及隨機(jī)存儲(chǔ)器，本發(fā)明的垂直反鐵磁層設(shè)置于磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元，在具有垂直反鐵磁層的磁性隧道結(jié)結(jié)構(gòu)中，由下至上依次設(shè)置垂直各向異性場(chǎng)增強(qiáng)層和垂直反鐵磁層雙層結(jié)構(gòu)并堆疊在自由層的上方，所述垂直反鐵磁層通過(guò)垂直各向異性增強(qiáng)乘實(shí)現(xiàn)和自由層的磁性耦合，增強(qiáng)自由層的熱穩(wěn)定性，本發(fā)明垂直反鐵磁層（pAFM）通過(guò)垂直各向異性增強(qiáng)層（HK EL）實(shí)現(xiàn)和自由層（FL）的磁性耦合，從而增強(qiáng)了自由層（FL）的熱穩(wěn)定性，同時(shí)，由于垂直反鐵磁層（pAFM）的引入，有利于漏磁場(chǎng)的調(diào)控，有利于磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）器件，讀/寫，存儲(chǔ)性能的提升，有利器件的縮微化。