一種使用模擬計算的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201611111667.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN108154226B | 公開(公告)日 | 2021-09-03 |
申請公布號 | CN108154226B | 申請公布日 | 2021-09-03 |
分類號 | G06N3/063;G11C11/16 | 分類 | 計算;推算;計數(shù); |
發(fā)明人 | 戴瑾;郭一民;陳峻 | 申請(專利權(quán))人 | 上海磁宇信息科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 上海容慧專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 于曉菁 |
地址 | 201800 上海市嘉定區(qū)城北路235號二號樓二層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種使用模擬計算的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片包括:由多個MTJ存儲單元組成的存儲陣列,每一個存儲單元由一個磁隧道結(jié)和一個選通MOS晶體管串聯(lián),通過行地址解碼器和列地址解碼器選擇存儲陣列中的存儲單元;存儲陣列的每一列配置一個置于高阻態(tài)的參考單元;存儲陣列的每一列配置兩個MOS晶體管,其中兩個MOS晶體管的柵極均連接至神經(jīng)元的輸入信號,兩個MOS晶體管中的一個MOS晶體管的源極連接至相應(yīng)列的源極線信號,兩個MOS晶體管中的另一個MOS晶體管的源極連接至相應(yīng)列的參考單元的源極線;所述一個MOS晶體管的漏極連接第一電壓值,所述另一個MOS晶體管的漏極連接第二電壓值,第一電壓值減去MTJ存儲單元的基準(zhǔn)電位的差值等于MTJ存儲單元的基準(zhǔn)電位減去第二電壓值的差值。 |
