一種磁存儲(chǔ)器及其寫狀態(tài)檢測(cè)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811045302.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110890116B 公開（公告）日 2021-09-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN110890116B 申請(qǐng)公布日 2021-09-03
分類號(hào) G11C11/16 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 戴瑾;葉力;夏文斌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海磁宇信息科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海容慧專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 于曉菁
地址 201800 上海市嘉定區(qū)城北路235號(hào)二號(hào)樓二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種磁存儲(chǔ)器及其寫狀態(tài)檢測(cè)方法，該磁存儲(chǔ)器包括：高阻態(tài)寫參考單元，用于提供判斷存儲(chǔ)單元是否處于高阻態(tài)的參考信號(hào)；低阻態(tài)寫參考單元，用于提供判斷存儲(chǔ)單元是否處于低阻態(tài)的參考信號(hào)；寫入狀態(tài)檢測(cè)單元，用于接收高阻態(tài)寫參考單元和低阻態(tài)寫參考單元的輸出信號(hào)以及各存儲(chǔ)單元寫入回路中的相應(yīng)檢測(cè)信號(hào)；當(dāng)進(jìn)行置為高阻態(tài)的寫入操作時(shí)，寫入狀態(tài)檢測(cè)單元將存儲(chǔ)單元的檢測(cè)信號(hào)與高阻態(tài)寫參考單元提供的信號(hào)進(jìn)行比較，當(dāng)判定存儲(chǔ)單元已處于高阻態(tài)時(shí)，發(fā)出終止寫信號(hào)；當(dāng)進(jìn)行置為低阻態(tài)的寫入操作時(shí)，寫入狀態(tài)檢測(cè)單元將存儲(chǔ)單元的檢測(cè)信號(hào)與低阻態(tài)寫參考單元提供的信號(hào)進(jìn)行比較，當(dāng)判定存儲(chǔ)單元已處于低阻態(tài)時(shí)，發(fā)出終止寫信號(hào)。