一種磁性隨機存儲器記憶單元及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810054931.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110061029A 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN110061029A 申請公布日 2021-06-29
分類號 H01L27/22;H01L21/84 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖榮福;郭一民;陳峻 申請（專利權(quán)）人 上海磁宇信息科技有限公司
代理機構(gòu) 上海容慧專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 于曉菁
地址 201800 上海市嘉定區(qū)城北路235號二號樓二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種磁性隨機存儲器記憶單元及其制造方法，磁性隨機存儲器記憶單元包括種子層、垂直磁參考層、隧道勢壘層、磁記憶層、氧化物覆蓋層、金屬頂覆蓋層、易氧化金屬層、刻蝕阻擋層、硬掩模層。制造步驟如下：（1）沉積上述各膜層；（2）圖形化磁性隧道結(jié)，刻蝕硬掩模層并停止在刻蝕阻擋層上；（3）將刻蝕后暴露出來的硬掩模層、金屬頂覆蓋層和易氧化金屬層的周邊全部氧化形成電絕緣體，將磁性隧道結(jié)的周圍覆蓋保護(hù)起來；（4）刻蝕磁記憶層、隧道勢壘層和垂直磁參考層，直到種子層；（5）形成電介質(zhì)保護(hù)層保護(hù)刻蝕后的磁性隧道結(jié)單元，并填充電介質(zhì)填充層，用化學(xué)機械拋光方式將表面磨平；（6）最后在磨平的磁性隧道結(jié)單元上形成頂電極通孔層。