一種低導(dǎo)通電阻的中低壓平面柵VDMOS器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201922471072.5 申請日 -
公開（公告）號 CN211529958U 公開（公告）日 2020-09-18
申請公布號 CN211529958U 申請公布日 2020-09-18
分類號 H01L29/78(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 許劍;鐘傳杰;劉桂芝 申請（專利權(quán)）人 無錫麟力科技有限公司
代理機構(gòu) 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 無錫麟力科技有限公司
地址 214192江蘇省無錫市錫山經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)芙蓉中三路99號瑞云三座
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及VDMOS器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種低導(dǎo)通電阻的中低壓平面柵VDMOS器件及其制造工藝，該器件包括：包括N+型襯底、N?型外延層、P型體區(qū)、柵極氧化層、多晶硅柵極、多晶硅柵注入窗口、低電阻區(qū)、N+有源區(qū)、P+有源區(qū)、介質(zhì)層和源極金屬。本新型所述的中低壓平面柵VDMOS器件采用平面柵結(jié)構(gòu)，在平面柵的多晶硅局部挖空作為注入窗口，能夠在積累區(qū)和JFET區(qū)形成額外的低電阻區(qū)，并且在形成低電阻區(qū)域的同時仍保留JFET區(qū)域，從而使得器件不僅具備低導(dǎo)通電阻，而且耐壓和抗沖擊能力維持不變；同時由于平面柵的多晶硅面積減少，降低了寄生Cgd米勒電容的面積，又能達到降低器件開關(guān)損耗，提高開關(guān)頻率的目的。??