ESD防護(hù)晶體管及CMOS器件的ESD防護(hù)方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110618046.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113394293A 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN113394293A 申請公布日 2021-09-14
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧大元;喬暢君;韓玲玲;孫可平 申請（專利權(quán)）人 深圳市中明科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京金智普華知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 藍(lán)曉玉
地址 518103廣東省深圳市寶安區(qū)福永街道新田大道71-2號立新湖福寧高新產(chǎn)業(yè)園B棟7樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種ESD防護(hù)晶體管及CMOS器件的ESD防護(hù)方法，所述ESD防護(hù)晶體管包括：襯底、形成于所述襯底上的掩埋介電層、形成于所述掩埋介電層上的表面半導(dǎo)體層；其中，所述表面半導(dǎo)體層中形成有開放數(shù)據(jù)鏈路接口晶體管。基于對ESD防護(hù)晶體管本身結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，增加晶體管本身的防護(hù)能力，從而對CMOS器件進(jìn)行有效的ESD防護(hù)，避免因ESD造成CMOS器件的損壞、失效或性能降低的問題。