一種超結形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110056247.1 申請日 -
公開（公告）號 CN102157382A 公開（公告）日 2011-08-17
申請公布號 CN102157382A 申請公布日 2011-08-17
分類號 H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龔挺 申請（專利權）人 無錫邦普氿順微電子有限公司
代理機構 北京中恒高博知識產權代理有限公司 代理人 夏晏平
地址 214200 江蘇省無錫市宜興經(jīng)濟開發(fā)區(qū)文莊路南側
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于微電子元器件制造領域，特別是一種超結形成方法，其包括下列步驟：提供一襯底材料；在該襯底材料體中形成一個蝕刻的深溝槽；用離子注入的方法，把雜質沿深溝槽槽壁注入；爐管推進得到超結。本發(fā)明可減少制造摻雜區(qū)的步驟，簡化工藝流程，從而降低制作成本。