平坦化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110056246.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN102157373A 公開（公告）日 2011-08-17
申請公布號(hào) CN102157373A 申請公布日 2011-08-17
分類號(hào) H01L21/31(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龔?fù)?/td> 申請（專利權(quán)）人 無錫邦普氿順微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中恒高博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 夏晏平
地址 214200 江蘇省無錫市宜興經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)文莊路南側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 平坦化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，屬于微電子元器件制造領(lǐng)域，包括以下工藝流程：提供一硅襯底，使用四甲基氫氧化氨在硅襯底刻蝕出凹槽；在凹槽區(qū)氧化出一層200A–2000A的氧化層；在氧化層生長一層氧化硅，將凹槽填平；把凹槽以外的氧化硅去除。本發(fā)明可比現(xiàn)有的LOCOS工藝顯著的提高硅片平整度。