一種定向/單晶真空爐用氣液雙介質(zhì)冷卻結(jié)晶環(huán)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201920453603.5 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN210065976U 公開(公告)日 2020-02-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN210065976U 申請(qǐng)公布日 2020-02-14
分類號(hào) C30B11/00;B22D27/04 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 馮宏偉;秦虎;曹榮;韋恩潤(rùn) 申請(qǐng)(專利權(quán))人 江蘇永瀚特種合金技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 代理人 曹祖良
地址 214161 江蘇省無(wú)錫市濱湖區(qū)胡埭鎮(zhèn)劉閭路11號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種定向/單晶真空爐用氣液雙介質(zhì)冷卻結(jié)晶環(huán),結(jié)晶環(huán)包括水冷環(huán)和氣冷環(huán);氣冷環(huán)設(shè)置在水冷環(huán)上方;水冷環(huán)包括水冷環(huán)體和水冷管路,所述水冷環(huán)通過水冷管路與真空爐水冷系統(tǒng)相連;氣冷環(huán)包括氣冷環(huán)體、環(huán)體上設(shè)置的氣冷噴環(huán)及氣冷管路,氣冷環(huán)通過氣冷管路與惰性氣體發(fā)生裝置相連,惰性氣體經(jīng)噴環(huán)噴至模殼上。本結(jié)晶環(huán)安裝在真空爐的冷卻裝置中,可以增強(qiáng)定向凝固及單晶生產(chǎn)過程中的整體冷卻強(qiáng)度,提高溫度梯度,增大冷卻速率,提高單晶葉片的質(zhì)量和性能。