一種定向/單晶真空爐用氣液雙介質(zhì)冷卻結(jié)晶環(huán)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920453603.5 申請日 -
公開（公告）號 CN210065976U 公開（公告）日 2020-02-14
申請公布號 CN210065976U 申請公布日 2020-02-14
分類號 C30B11/00;B22D27/04 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 馮宏偉;秦虎;曹榮;韋恩潤 申請（專利權(quán)）人 江蘇永瀚特種合金技術(shù)股份有限公司
代理機構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良
地址 214161 江蘇省無錫市濱湖區(qū)胡埭鎮(zhèn)劉閭路11號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種定向/單晶真空爐用氣液雙介質(zhì)冷卻結(jié)晶環(huán)，結(jié)晶環(huán)包括水冷環(huán)和氣冷環(huán)；氣冷環(huán)設(shè)置在水冷環(huán)上方；水冷環(huán)包括水冷環(huán)體和水冷管路，所述水冷環(huán)通過水冷管路與真空爐水冷系統(tǒng)相連；氣冷環(huán)包括氣冷環(huán)體、環(huán)體上設(shè)置的氣冷噴環(huán)及氣冷管路，氣冷環(huán)通過氣冷管路與惰性氣體發(fā)生裝置相連，惰性氣體經(jīng)噴環(huán)噴至模殼上。本結(jié)晶環(huán)安裝在真空爐的冷卻裝置中，可以增強定向凝固及單晶生產(chǎn)過程中的整體冷卻強度，提高溫度梯度，增大冷卻速率，提高單晶葉片的質(zhì)量和性能。