一種高調(diào)制效率的鈮酸鋰薄膜電光調(diào)制器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201621134438.X 申請日 -
公開（公告）號 CN206133134U 公開（公告）日 2017-04-26
申請公布號 CN206133134U 申請公布日 2017-04-26
分類號 G02F1/035(2006.01)I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 李萍;史云玲 申請（專利權(quán)）人 武漢奇普微半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津市三利專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 張義
地址 300000 天津市北辰區(qū)北辰經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)雙辰中路5號（辦公樓702-016）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種高調(diào)制效率的鈮酸鋰薄膜電光調(diào)制器，通過將鈮酸鋰電光調(diào)制器的電極制備成上下型結(jié)構(gòu)，上層電極(信號極)分別位于光學(xué)波導(dǎo)上方，下層電極為地電極，因而上下型電極結(jié)構(gòu)對光學(xué)波導(dǎo)可以起到100％的調(diào)制效率，遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)鈮酸鋰電光調(diào)制器的40％至50％的電光調(diào)制效率；此外，本申請采用具有單晶結(jié)構(gòu)的、厚度為0.1μm至10μm的鈮酸鋰薄膜材料，可實現(xiàn)與傳統(tǒng)鈮酸鋰電光調(diào)制器相比更短的電極間距。上述兩方面因素可大幅降低鈮酸鋰電光調(diào)制器的半波電壓。