基于特氟龍材料緩沖層的新型寬帶鈮酸鋰電光調(diào)制器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201621134352.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN206133132U 公開(kāi)（公告）日 2017-04-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN206133132U 申請(qǐng)公布日 2017-04-26
分類(lèi)號(hào) G02F1/035(2006.01)I 分類(lèi) 光學(xué);
發(fā)明人 李萍;范寶泉 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 武漢奇普微半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津市三利專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 代理人 張義
地址 300000 天津市北辰區(qū)北辰經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)雙辰中路5號(hào)（辦公樓702-016）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基于特氟龍材料緩沖層的新型寬帶鈮酸鋰電光調(diào)制器，自下而上依次包括：基底材料、光學(xué)波導(dǎo)、緩沖層、電極結(jié)構(gòu)，所述緩沖層采用厚度為0.1um至5um的特氟龍材料，所述光學(xué)波導(dǎo)采用鈦擴(kuò)散光學(xué)波導(dǎo)或退火質(zhì)子交換光學(xué)波導(dǎo)，波導(dǎo)擴(kuò)散寬度為1至20μm，擴(kuò)散深度為1至20μm。本申請(qǐng)利用特氟龍材料的低介電常數(shù)特性，使鈮酸鋰寬帶電光調(diào)制器的工作帶寬得以進(jìn)一步提高，提升了器件性能指標(biāo)，并克服了當(dāng)前鈮酸鋰脊型波導(dǎo)電光調(diào)制器存在的二氧化硅緩沖層需進(jìn)行平坦化處理的工藝難點(diǎn)，降低了鈮酸鋰寬帶電光調(diào)制器的加工難度和成本，提升了產(chǎn)品合格率。