一種多晶硅PECVD三層鍍膜工藝制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610408537.0 申請日 -
公開（公告）號 CN106098838A 公開（公告）日 2016-11-09
申請公布號 CN106098838A 申請公布日 2016-11-09
分類號 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;C23C16/44(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉曉龍;劉成;吳肖;孫立國 申請（專利權）人 浙江昂成新能源有限公司
代理機構 杭州融方專利代理事務所（普通合伙） 代理人 沈相權
地址 311227 浙江省杭州市蕭山區(qū)南陽街道陽城路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種三層鍍膜工藝，尤其涉及一種多晶硅PECVD三層鍍膜工藝制備方法。按以下步驟進行：PECVD分析→PECVD作用→PECVD膜的特點→PECVD三層鍍膜工藝制備方法→PECVD三層膜優(yōu)勢。一種多步擴散實現(xiàn)高效太陽能電池制備方法提高產(chǎn)品質量，進一步提升操作效率。