反熔絲單元及反熔絲單次可編程存儲器
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010779198.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN114068560A | 公開（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申請公布號 | CN114068560A | 申請公布日 | 2022-02-18 |
| 分類號 | H01L27/112（2006.01）I;G11C17/16（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黃澤;趙立新;張羊 | 申請（專利權(quán)）人 | 格科微電子（上海）有限公司 |
| 代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)張江盛夏路560號2號樓11層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種反熔絲單元及反熔絲單次可編程存儲器，所述反熔絲單元包括：有源區(qū)、位于所述有源區(qū)外圍的隔離區(qū)以及覆蓋所述有源區(qū)的柵極；所述反熔絲單元的柵極與所述有源區(qū)形成重合區(qū)域；其中，所述隔離區(qū)與所述重合區(qū)域的接觸邊界存在角。本發(fā)明通過反熔絲柵極與有源區(qū)形成重合區(qū)域，并將重合區(qū)域與隔離區(qū)接觸邊界形成角，減少器件面積，提高器件集成度。 |
