多位半導(dǎo)體存儲單元、存儲陣列及其操作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010861590.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114121071A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114121071A 申請公布日 2022-03-01
分類號 G11C11/36（2006.01）I;G11C11/40（2006.01）I;H01L27/11521（2017.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 趙立新;李杰;張浩然 申請（專利權(quán)）人 格科微電子（上海）有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江盛夏路560號2號樓11層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種多位半導(dǎo)體存儲單元、存儲陣列及其操作方法，其中，所述多位半導(dǎo)體存儲單元，包括：釘扎二極管、控制晶體管和浮置擴散區(qū)，利用所述釘扎二極管進行電荷的存儲；其中，所述釘扎二極管由：光電二極管的N阱區(qū)和P型表面摻雜區(qū)組成，或由光電二極管的P阱區(qū)和N型表面摻雜區(qū)組成。本發(fā)明中采用光電二極管的N阱區(qū)或光電二極管的P阱區(qū)作為存儲電荷單元。在本發(fā)明所提供的技術(shù)多位半導(dǎo)體存儲單元中，存儲單元可存儲的電荷量由摻雜劑量決定，因此存儲量可控。