等離子體處理裝置的柵組件
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111587544.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114695055A | 公開(公告)日 | 2022-07-01 |
申請公布號 | CN114695055A | 申請公布日 | 2022-07-01 |
分類號 | H01J37/32(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 龍茂林 | 申請(專利權(quán))人 | 北京屹唐半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京易光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)經(jīng)海二路28號8幢 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本公開提供了一種用于將工藝氣體注入腔室的柵組件。柵組件包括用于將工藝氣體輸送到柵組件的氣體入口、豎直延伸通過柵組件的至少一部分的多個噴嘴以及豎直堆疊布置的多個層。多個層包括:頂層,包括被配置為從氣體入口接收工藝氣體的一個或多個內(nèi)部氣體注入通道;底層,包括具有一個或多個注入孔口的多個內(nèi)部氣體注入通道,該注入孔口被配置為將水平面附近的工藝氣體輸送至多個噴嘴中的一個或多個噴嘴;以及一個或多個子層,被設(shè)置在頂層和底層之間,一個或多個子層中的每個子層包括隨著一個或多個子層從頂層前進(jìn)至底層而數(shù)量增加的內(nèi)部氣體注入通道。本公開還提供了等離子處理裝置和處理工件的方法。 |
