間隔物刻蝕工藝
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202080005249.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112771650B | 公開（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申請公布號 | CN112771650B | 申請公布日 | 2022-06-24 |
| 分類號 | H01L21/311（2006.01）;H01J37/32（2006.01） | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 宋采文;C·閆;楊曉晅 | 申請（專利權(quán)）人 | 北京屹唐半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京易光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 崔曉光 |
| 地址 | 美國加利福尼亞州 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 提供了用于處理工件的系統(tǒng)和方法。在一個實(shí)施例中，方法包括將工件放置在處理腔室中的工件支撐體上。工件具有至少一個材料層和其上的至少一種結(jié)構(gòu)。該方法包括允許工藝氣體進(jìn)入等離子體腔室中，由工藝氣體產(chǎn)生一種或多種物質(zhì)，并且過濾所述一種或多種物質(zhì)以產(chǎn)生過濾后的混合物。該方法還包括向偏壓電極提供射頻功率以產(chǎn)生第二混合物，并且將工件暴露于第二混合物以刻蝕材料層的至少一部分并且在材料層的至少一部分上形成膜。 |
