一種發(fā)光二極管的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011214757.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114447013A 公開（公告）日 2022-05-06
申請公布號 CN114447013A 申請公布日 2022-05-06
分類號 H01L27/15（2006.01）I;H01L33/20（2010.01）I;H01L21/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林智遠(yuǎn) 申請（專利權(quán)）人 深圳市TCL高新技術(shù)開發(fā)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 徐凱凱
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)西麗留仙洞中山園路1001號TCL科學(xué)園區(qū)研發(fā)樓D4棟8層B1單位802-1號房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管的制備方法，其包括步驟：提供襯底復(fù)合層，所述襯底復(fù)合層包括從下至上依次層疊設(shè)置的第一襯底層、中間層以及第二襯底層；在所述第二襯底層的上表面生長外延層并處理得到所述發(fā)光二極管。本發(fā)明可實現(xiàn)提升發(fā)光二極管的制備良率。