一種紅斑響應(yīng)探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610171213.X 申請日 -
公開（公告）號 CN105679779B 公開（公告）日 2019-06-21
申請公布號 CN105679779B 申請公布日 2019-06-21
分類號 H01L27/144（2006.01）I; H01L31/0216（2014.01）I; H01L31/0304（2006.01）I; H01L31/105（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王俊; 郭進(jìn); 吳浩然; 宋曼; 易媛媛; 謝峰; 王國勝 申請（專利權(quán)）人 合肥公共安全技術(shù)研究院
代理機(jī)構(gòu) 合肥市浩智運(yùn)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 中國電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所; 合肥公共安全技術(shù)研究院
地址 230000 安徽省合肥市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)香樟大道199號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種紅斑響應(yīng)探測器，一種用于太陽紫外線指數(shù)監(jiān)測的芯片，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。該芯片橫向集成了兩個不同結(jié)構(gòu)的探測單元，其一為傳統(tǒng)PIN紫外光電二極管，其二為新結(jié)構(gòu)的窄帶通PIN紫外光電二極管，兩光電二極管具有相同的感光面積。本發(fā)明探測器材料的結(jié)構(gòu)為依次外延襯底層、緩沖層、N型層、I型吸收層、P型層、勢壘層，短波濾波層，并利用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體微加工工藝實(shí)現(xiàn)兩不同結(jié)構(gòu)探測器的單片集成。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于巧妙地采用雙二極管集成芯片獲得精確的紅斑響應(yīng)探測器，可以避免采用昂貴復(fù)雜的濾波裝置以及濾波裝置對器件響應(yīng)率的影響，同時避免采用高鋁組分作為吸收層所面臨的材料生長困難和高暗電流問題。