一種晶圓制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111044087.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113948373A 公開（公告）日 2022-01-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN113948373A 申請(qǐng)公布日 2022-01-18
分類號(hào) H01L21/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 嚴(yán)立巍;符德榮;李景賢 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江同芯祺科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 工業(yè)和信息化部電子專利中心 代理人 華楓
地址 312000浙江省紹興市越城區(qū)銀橋路326號(hào)1幢4樓415室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種晶圓制備方法。方法包括：S100，在硅基板的鍵合面光刻形成多個(gè)具有預(yù)設(shè)角度和預(yù)設(shè)深度的容納槽；S200，在具有容納槽的鍵合面上形成第一SiO2層；S300，在各個(gè)容納槽內(nèi)嵌入SiC片，并使SiC片與第一SiO2層鍵合；S400，在鍵合有SiC片的鍵合面填充第二SiO2層；S500，對(duì)填充的第二SiO2層進(jìn)行拋光，至露出SiC片且使表面平整。根據(jù)本發(fā)明的晶圓制備方法，使得小尺寸的SiC片可以與硅基片通過永久性鍵合在結(jié)構(gòu)上合為一體，從而使得加工大尺寸（如12英寸）的硅晶圓的設(shè)備可以加工與硅基片嵌合的小尺寸（如2英寸至6英寸）的SiC片，提高現(xiàn)有設(shè)備的通用性，從而可以有效降低SiC器件生產(chǎn)的成本。