一種晶圓表面器件的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111161451.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113948376A 公開(kāi)（公告）日 2022-01-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN113948376A 申請(qǐng)公布日 2022-01-18
分類號(hào) H01L21/265（2006.01）I;H01L21/304（2006.01）I;H01L21/306（2006.01）I;H01L21/288（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 嚴(yán)立巍;符德榮;李景賢 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江同芯祺科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 工業(yè)和信息化部電子專利中心 代理人 華楓
地址 312000浙江省紹興市越城區(qū)銀橋路326號(hào)1幢4樓415室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種晶圓表面器件的制備方法，包括：S100，在晶圓的第一表面制作完成接觸孔后，制備耐熔金屬層；S200，翻轉(zhuǎn)晶圓，對(duì)晶圓的第二表面進(jìn)行研磨、蝕刻，使晶圓達(dá)到預(yù)設(shè)厚度；S300，向晶圓的第二表面進(jìn)行離子注入，并在預(yù)設(shè)溫度下激活注入的離子；S400，對(duì)第二表面進(jìn)行金屬鍍膜，形成金屬膜層，并在金屬膜層上制備具有預(yù)設(shè)圖案的聚亞酰胺網(wǎng)格，聚亞酰胺網(wǎng)格的覆蓋區(qū)域?qū)?yīng)切割道位置；S500，翻轉(zhuǎn)晶圓，在聚亞酰胺網(wǎng)格的支撐下，對(duì)第一表面進(jìn)行金屬鍍膜，并蝕刻形成預(yù)設(shè)排布的金屬塊；S600，在第一表面和第二表面均無(wú)電極化鍍Ni、Pd、Au；S700，去除第二表面的聚亞酰胺網(wǎng)格，完成晶圓表面器件的制備。