一種利用二次鍵合硅基載板的SiC晶圓加工工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111162144.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113903658A 公開（公告）日 2022-01-07
申請公布號 CN113903658A 申請公布日 2022-01-07
分類號 H01L21/04（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 嚴(yán)立巍;符德榮;陳政勛;文鍾 申請（專利權(quán)）人 浙江同芯祺科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同輝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李曉峰
地址 312000浙江省紹興市越城區(qū)皋埠街道銀橋路326號1幢4樓415室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體加工領(lǐng)域，公開了一種利用二次鍵合硅基載板的SiC晶圓加工工藝，包括以下步驟：S1、SiC基板背面CVD SiO2層；S2、在SiO2層表面鍵合硅基載板；S3、于SiC基板正面完成除高溫制程外的其他晶圓正面制程；S4、將SiC基板放置在石墨托盤中，通過蝕刻除去SiO2層；S5、取出硅基載板；S6、將石墨托盤及SiC基板放入高溫爐管中完成高溫制程；S7、再次通過CVD于SiC基板正面沉積SiO2層；S8、在SiO2層表面再次鍵合硅基載板；S9、翻轉(zhuǎn)硅基載板，進(jìn)行后續(xù)晶圓制程。本發(fā)明利用硅載板沉積SiO2層與碳化硅基板形成永久鍵合，同時(shí)采用石墨托盤承載碳化硅基板進(jìn)行高溫制程，可以安全有效的進(jìn)行碳化硅基板的高溫回火。