一種半導(dǎo)體器件的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210333140.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114758978A 公開（公告）日 2022-07-15
申請公布號 CN114758978A 申請公布日 2022-07-15
分類號 H01L21/683（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 嚴(yán)立巍;文鍾;符德榮 申請（專利權(quán)）人 浙江同芯祺科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 工業(yè)和信息化部電子專利中心 代理人 -
地址 312000浙江省紹興市越城區(qū)銀橋路326號1幢4樓415室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：A100，在SiC襯底的表面制備外延層后置于預(yù)設(shè)尺寸Si基載盤；A200，在外延層進(jìn)行離子注入；A300，在完成離子注入后的外延層的表面制備包覆層；A400，將SiC襯底從Si基載盤分離后，進(jìn)行高溫離子激活工藝；A500，去除包覆層，在外延層的表面沉積制備柵極和介電層、打開接觸孔及完成溝槽氧化后，將SiC襯底放置回Si載盤。本發(fā)明通過將SiC襯底置于預(yù)設(shè)尺寸的Si基載盤，可以充分利用現(xiàn)有半導(dǎo)體器件尺寸的加工設(shè)備，降低設(shè)備更替成本。而且，在半導(dǎo)體器件制備過程中，在涉及到高溫操作步驟時，將SiC襯底與Si基載盤分離，避免高溫?fù)p壞Si基載盤和封止層。本發(fā)明的制備方法，操作方便、流程合理。