一種晶圓切割方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111125517.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113948460A 公開（公告）日 2022-01-18
申請公布號 CN113948460A 申請公布日 2022-01-18
分類號 H01L21/78（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 嚴(yán)立巍;符德榮;李景賢 申請（專利權(quán)）人 浙江同芯祺科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 工業(yè)和信息化部電子專利中心 代理人 華楓
地址 312000浙江省紹興市越城區(qū)銀橋路326號1幢4樓415室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種晶圓切割方法，包括：S100，在晶圓的第一表面完成金屬元件制備后，制備聚亞酰胺網(wǎng)格，聚亞酰胺網(wǎng)格的鏤空區(qū)域?qū)?yīng)為切割道位置；S200，對準(zhǔn)切割道在晶圓的第一表面制備第一溝槽；S300，在晶圓的第一表面貼附研磨膠帶，對晶圓的第二表面進(jìn)行減薄處理，并完成第二表面的元件制備工藝；S400，以第一溝槽為參考，在晶圓的第二表面對應(yīng)位置制備第二溝槽；S500，在晶圓的第二表面制備金屬鍍層；S600，以第二溝槽為參考，沿第二溝槽制備第三溝槽，且使第三溝槽與第一溝槽連通，以切斷晶圓。通過在晶圓的第一表面制備第一溝槽，可以從第二表面識別第一溝槽以進(jìn)行第二溝槽切割，金屬鍍層可以部分沉積于第二溝槽中，提高了晶圓切割的便利性。