一種碳化硅晶圓加工工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111162163.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113903656A 公開（公告）日 2022-01-07
申請公布號 CN113903656A 申請公布日 2022-01-07
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 嚴(yán)立巍;符德榮;陳政勛;文鍾 申請（專利權(quán)）人 浙江同芯祺科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同輝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李曉峰
地址 312000浙江省紹興市越城區(qū)皋埠街道銀橋路326號1幢4樓415室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種碳化硅晶圓加工工藝，包括以下步驟：S1、將碳化硅基板永久鍵合在硅載板上；S2、完成碳化硅基板的減薄及除高溫制程外的其他晶圓正面制程；S3、將碳化硅基板轉(zhuǎn)移到石墨托盤上，解除碳化硅基板與硅載板的永久鍵合，移除硅載板；S4、利用石墨托盤承載碳化硅基板進(jìn)行高溫制程；S5、碳化硅基板背面鍵合玻璃載板，移除石墨托盤；S6、碳化硅基板正面鍵合玻璃載板，解鍵合移除背面玻璃載板；S7、完成碳化硅基板背面晶圓制程；S8、將碳化硅基板轉(zhuǎn)移到切割模框上，解鍵合移除正面玻璃載板，完成晶圓的切割。本發(fā)明利用硅載板承載碳化硅基板進(jìn)行減薄，利用石墨托盤承載碳化硅基板進(jìn)行高溫制程，克服了碳化硅材料硬度大、活化溫度高的加工難題。