硅基板上解鍵合SiC片方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111119932.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113948459A 公開（公告）日 2022-01-18
申請公布號 CN113948459A 申請公布日 2022-01-18
分類號 H01L21/78（2006.01）I;H01L21/673（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 嚴(yán)立巍;符德榮;李景賢 申請（專利權(quán)）人 浙江同芯祺科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 工業(yè)和信息化部電子專利中心 代理人 華楓
地址 312000浙江省紹興市越城區(qū)銀橋路326號1幢4樓415室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種硅基板上解鍵合SiC片方法。包括：S100：將鍵合有多片SiC片的硅基板翻轉(zhuǎn)，使SiC片朝向石墨托盤并嵌入石墨托盤；S200：向硅基板噴灑蝕刻液，使多片SiC片與硅基板解鍵合；S300：移除解鍵合后的硅基板，并使多片SiC留置于石墨托盤。根據(jù)本發(fā)明提出的的硅基板上解鍵合SiC片方法，通過將SiC片對準(zhǔn)并嵌入石墨盤，利用石墨盤耐高溫的性質(zhì)，便于后續(xù)對SiC片進(jìn)行高溫退火等工藝，另外，通過蝕刻液以化學(xué)蝕刻的方式進(jìn)行解鍵合，避免了對SiC片的表面損傷，有助于提高SiC器件的良品率。