一種提高氮化鎵器件電子遷移率的結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910774581.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110400835A 公開（公告）日 2019-11-01
申請公布號 CN110400835A 申請公布日 2019-11-01
分類號 H01L29/06（2006.01）I; H01L29/778（2006.01）I; H01L21/335（2006.01）I; B82Y40/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖宸梓; 王柏鈞; 陳憲冠; 葉順閔 申請（專利權(quán)）人 聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京專贏專利代理有限公司 代理人 聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司
地址 400000 重慶市江北區(qū)江北嘴IFS國金中心T2棟2911
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種提高氮化鎵器件電子遷移率的結(jié)構(gòu)及其制備方法，要解決的是現(xiàn)有氮化鎵器件外延層電子遷移率不高的問題。本產(chǎn)品包括襯底、c?GaN層、i?GaN層和AlGaN barrier層，所述襯底位于最底層，襯底的上部設(shè)置有AIN緩沖層，AIN緩沖層的上部設(shè)置有AlGaN緩沖層，AlGaN緩沖層位于c?GaN層的下方，i?GaN層位于c?GaN層的上方，AlGaN barrier層位于i?GaN層的上部，i?GaN層和AlGaN barrier層之間設(shè)置有AlN spacer層，AlGaN barrier層的上部設(shè)置有P?AlInGaN層。本產(chǎn)品通過利用襯底在AlGaN與GaN間插入AlN spacer層,因其具有較大的禁帶寬度,從而得到更佳量子井效果,有效提高電子遷移率，可以提供更有效的緩沖，達(dá)成高質(zhì)量GaN通道層的需求。