一種提高氮化鎵器件電子遷移率的結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201921362601.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN210224041U | 公開（公告）日 | 2020-03-31 |
| 申請公布號(hào) | CN210224041U | 申請公布日 | 2020-03-31 |
| 分類號(hào) | H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 廖宸梓;王柏鈞;陳憲冠;葉順閔 | 申請（專利權(quán)）人 | 聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京專贏專利代理有限公司 | 代理人 | 聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司 |
| 地址 | 400000重慶市江北區(qū)江北嘴IFS國金中心T2棟2911 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種提高氮化鎵器件電子遷移率的結(jié)構(gòu)，要解決的是現(xiàn)有氮化鎵器件外延層電子遷移率不高的問題。本產(chǎn)品包括襯底、c?GaN層、i?GaN層和AlGaN barrier層，所述襯底位于最底層，襯底的上部設(shè)置有AIN緩沖層，AIN緩沖層的上部設(shè)置有AlGaN緩沖層，AlGaN緩沖層位于c?GaN層的下方，i?GaN層位于c?GaN層的上方，AlGaN barrier層位于i?GaN層的上部，i?GaN層和AlGaN barrier層之間設(shè)置有AlN spacer層，AlGaN barrier層的上部設(shè)置有P?AlInGaN層。?? |
