半導(dǎo)體裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910832477.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110707153A 公開（公告）日 2020-01-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN110707153A 申請(qǐng)公布日 2020-01-17
分類號(hào) H01L29/778;H01L29/08 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 石逸群;葉順閔 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥市科融知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司
地址 402360 重慶市大足區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置，半導(dǎo)體裝置包括一基底、一第一III?V族化合物層、一柵極、多個(gè)以高積集度排列設(shè)置的漏極溝槽以及至少一漏極?；拙哂幸坏谝粋?cè)以及與第一側(cè)相反的一第二側(cè)。第一III?V族化合物層設(shè)置在基底的第一側(cè)。柵極設(shè)置在第一III?V族化合物層上。各漏極溝槽自基底的第二側(cè)朝向第一側(cè)延伸而貫穿基底，且多個(gè)漏極溝槽規(guī)則排列設(shè)置。漏極設(shè)置在多個(gè)漏極溝槽中的至少一個(gè)中。