一種提高氮化鎵器件外延層質(zhì)量的結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201921362648.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN210245455U | 公開（公告）日 | 2020-04-03 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN210245455U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-04-03 |
| 分類號(hào) | H01L21/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 廖宸梓;王柏鈞;陳憲冠;葉順閔 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京專贏專利代理有限公司 | 代理人 | 聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司 |
| 地址 | 400000重慶市江北區(qū)江北嘴IFS國金中心T2棟2911 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種提高氮化鎵器件外延層質(zhì)量的結(jié)構(gòu)，要解決的是現(xiàn)有氮化鎵器件外延層質(zhì)量不佳的問題。本產(chǎn)品包括襯底、i?GaN層和GaN cap層，所述襯底位于最底層，GaN cap層位于最頂層，襯底上部設(shè)置有AlN緩沖層，GaN cap層的下方設(shè)置有AlGaN barrier層，i?GaN層設(shè)置在AlGaN barrier層的下方，i?GaN層的下部設(shè)置有c?GaN層，c?GaN層和AlN緩沖層之間設(shè)置有緩變式多層緩沖層，AlGaN barrier層和i?GaN層之間設(shè)置有AlN spacer層。本產(chǎn)品利用襯底在GaN與AlN間插入緩變式多層緩沖層，緩變式多層緩沖層采用依次成長的多層AlGaN結(jié)構(gòu)形成，對(duì)于晶格應(yīng)力造成的翹曲,以及熱膨脹不匹配性造成內(nèi)應(yīng)力蓄積問題,可獲得大幅度改善,也形成更穩(wěn)定的外延結(jié)構(gòu)。?? |
