半導(dǎo)體裝置的制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910832446.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111063656A | 公開（公告）日 | 2020-04-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111063656A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-04-24 |
| 分類號(hào) | H01L21/768;H01L23/528;H01L29/778 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 石逸群;葉順閔 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 合肥市科融知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司 |
| 地址 | 402360 重慶市大足區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括下列步驟。提供一基底，基底具有一第一側(cè)以及與第一側(cè)相反的一第二側(cè)。在基底的第一側(cè)上形成一第一III?V族化合物層。自基底的第二側(cè)形成一漏極溝槽以及一接觸溝槽。漏極溝槽自基底的第二側(cè)朝向第一側(cè)延伸而貫穿基底，接觸溝槽自基底的第二側(cè)朝向第一側(cè)延伸而貫穿基底，且漏極溝槽與接觸溝槽由同一制造工藝一并形成。在漏極溝槽中形成一漏極。在接觸溝槽中形成一背部接觸結(jié)構(gòu)。 |
