半導(dǎo)體裝置的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910833072.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111048411A 公開（公告）日 2020-04-21
申請公布號 CN111048411A 申請公布日 2020-04-21
分類號 H01L21/28;H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 石逸群;葉順閔 申請（專利權(quán)）人 聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥市科融知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司
地址 402360 重慶市大足縣高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括下列步驟。提供至少一個(gè)平臺結(jié)構(gòu)，且平臺結(jié)構(gòu)包括一III?V族化合物半導(dǎo)體層。在平臺結(jié)構(gòu)上形成一鈍化層。在鈍化層上形成一柵極介電層。在柵極介電層上形成一柵極。在形成柵極之前，對柵極介電層進(jìn)行一刻蝕工藝，用以薄化柵極介電層。利用刻蝕工藝調(diào)整柵極介電層的厚度，借此達(dá)到提高半導(dǎo)體裝置的電性表現(xiàn)的效果。