增強(qiáng)型氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)與使用該結(jié)構(gòu)的封裝芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010273269.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113161416A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN113161416A 申請(qǐng)公布日 2021-07-23
分類(lèi)號(hào) H01L29/778（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 邱紹諺;林靖璋 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 姚亮;張德斌
地址 402360重慶市大足區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)一種增強(qiáng)型氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)與使用該結(jié)構(gòu)的封裝芯片。該增強(qiáng)型氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)包含：一源極電極；一漏極電極；一柵極電極；一p?III族氮化物層，設(shè)置于所述柵極電極之下；一III族氮化物層，接觸所述p?III族氮化物層的下表面、所述漏極電極的下表面、以及所述源極電極的下表面；一III族阻障層，設(shè)置于所述III族氮化物層的下表面；其中，所述柵極電極或所述漏極電極至少其一為一L型電極，且所述柵極電極與所述源極電極之間、或所述柵極電極與所述漏極電極之間至少其一存在一溝槽，所述溝槽的底部終止于所述III族阻障層之中；所述柵極電極或所述漏極電極的一端設(shè)置于所述溝槽之中。