高可靠性封裝后修調(diào)標識電路
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202023218029.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN213637694U | 公開(公告)日 | 2021-07-06 |
申請公布號 | CN213637694U | 申請公布日 | 2021-07-06 |
分類號 | H03K5/24 | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 張明;焦煒杰;鄭宗源;漆星宇 | 申請(專利權(quán))人 | 潤石芯科技(深圳)有限公司 |
代理機構(gòu) | 無錫永樂唯勤專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 章陸一 |
地址 | 518101 廣東省深圳市寶安區(qū)新安街道文雅社區(qū)寶民一路215號寶通大廈2007 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型涉及一種高可靠性封裝后修調(diào)標識電路,其包括比較器U3以及與所述比較器U3適配連接的熔斷器fuse,還包括比較器U3的第二輸入端、熔斷器fuse第二端適配連接的開關(guān)管以及電流增大電路;所述開關(guān)管包括NMOS管MN1,NMOS管MN1的漏極端與熔斷器fuse的第二端以及比較器U3的第二輸入端連接,NMOS管MN1的襯底以及源極端接地,NMOS管MN1的柵極端與驅(qū)動控制電路的輸出端,且電流增大電路能接收驅(qū)動控制電路加載到NMOS管MN1柵極端的驅(qū)動電壓,驅(qū)動控制電路驅(qū)動NMOS管MN1導通時,通過電流增大電路增加并保持流過熔斷器fuse的電流。本實用新型能有效實現(xiàn)對修調(diào)數(shù)值的標識,提高電路工作的穩(wěn)定性與可靠性。 |
