一種可調(diào)制光柵陣列結(jié)構(gòu)的外延材料生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011389027.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112687768B 公開（公告）日 2021-11-05
申請公布號 CN112687768B 申請公布日 2021-11-05
分類號 H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 南琦 申請（專利權(quán)）人 木昇半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京化育知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 尹均利
地址 215011江蘇省蘇州市高新區(qū)竹園路209號4號樓2301-12
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種可調(diào)制光柵陣列結(jié)構(gòu)的外延材料生長方法，包括如下步驟：在金剛石襯底上生長AlN層；在所述AlN層上生長n型AlGaN層；在所述n型AlGaN層上依次生長AlGaN阱層、AlGaN/AlN過度層和C基金剛石層、AlN量子壘層，重復(fù)生長若干組AlGaN阱層、AlGaN/AlN過度層和C基金剛石層形成多量子阱層；在所述多量子阱層上生長P型AlGaN層。本發(fā)明可調(diào)制光柵陣列結(jié)構(gòu)的外延材料生長方法可直接調(diào)整外延結(jié)構(gòu)中C基金剛石偏振光柵過濾結(jié)構(gòu)，達(dá)到所需的偏振光源，無需外部附加涂覆薄膜調(diào)制結(jié)構(gòu)，避免了過多光功率的損失，由該方法制作的UV紫外光電芯片，直接發(fā)出的光就是所定制需求的偏振光源。