一種極紫外GaN UV-LED外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110686783.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113299807A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN113299807A 申請(qǐng)公布日 2021-08-24
分類號(hào) H01L33/12;H01L33/02;H01L33/64;H01L33/04;H01L33/46 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 南琦;劉銀 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 木昇半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京化育知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 閆露露
地址 215000 江蘇省蘇州市高新區(qū)竹園路209號(hào)4號(hào)樓2301-12
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種極紫外GaNUV?LED外延結(jié)構(gòu)，包括襯底層，襯底層上設(shè)有外延層，外延層設(shè)有多組，所述外延層等距離設(shè)置，且每組外延層之間設(shè)置有分隔層，所述外延層與襯底層之間設(shè)有劃痕層，所述外延層包括半導(dǎo)體模板層、緩沖層、高溫n?GaN層、低溫AlGaN/AlInGaN紫外發(fā)光層、高溫p?AlGaN電子阻擋層和p型摻雜AlGaN層，本發(fā)明通過(guò)將緩沖層采用多組交錯(cuò)疊加設(shè)置的GaAs層和AlGaAs層組成，使其具有良好的吸光效果，后期可將吸收的光射出，有效的提到的發(fā)光效率和二次出光效率，通過(guò)在襯底層內(nèi)設(shè)置反光層，使得外延結(jié)構(gòu)具有兩組發(fā)光結(jié)構(gòu)，提高極紫外GaNUV?LED出光效率。