一種有序多孔鈷硫修飾電極及其制備方法與應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011644032.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112834586A 公開（公告）日 2021-05-25
申請公布號 CN112834586A 申請公布日 2021-05-25
分類號 G01N27/30;G01N27/48 分類 測量；測試;
發(fā)明人 奚亞男;胡淑錦 申請（專利權(quán)）人 廣州鈺芯智能科技研究院有限公司
代理機構(gòu) 廣州幫專高智知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 陸茵
地址 510000 廣東省廣州市南沙區(qū)進港大道8號1104房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種有序多孔鈷硫修飾電極及其制備方法與應(yīng)用，具體通過電鍍方法制備聚苯乙烯模板，再在其表面電沉積修飾鈷硫合金，得到有序多孔鈷硫修飾電極，電極具有良好的電化學響應(yīng)性能和較高的穩(wěn)定性，可用于電化學傳感器；電極具有優(yōu)秀的電容性能，可用于電池及電容器。