一種基于磁性隧道結(jié)的位元結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010521122.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111696601A | 公開（公告）日 | 2020-09-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111696601A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-22 |
| 分類號(hào) | G11C11/16(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
| 發(fā)明人 | 毛欣;張?jiān)戳?/td> | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 芯珉微電子（上海）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 | 代理人 | 蘇州思立特爾半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市蘇州高新區(qū)科靈路78號(hào)軟件園3號(hào)樓306 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種基于磁性隧道結(jié)的位元結(jié)構(gòu)，該位元結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)MOS管、兩個(gè)磁性隧道結(jié)、一條字線、兩條源線以及兩條位線；進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入時(shí)，字線有效，位元結(jié)構(gòu)中的兩個(gè)MOS管共享源線與位線，兩個(gè)磁性隧道結(jié)MTJ上經(jīng)過(guò)穩(wěn)定的電流并持續(xù)一段時(shí)間；選取某一個(gè)MTJ作為存儲(chǔ)單元(另外一個(gè)作為參考單元)，將數(shù)據(jù)寫入；進(jìn)行數(shù)據(jù)讀出時(shí)，源線接地，兩個(gè)位線偏置電壓將兩端位線分別上拉，產(chǎn)生作為存儲(chǔ)單元的MTJ上電壓VMTJ1和作為參考單元的MTJ上電壓VMTJ2，將VMTJ1和VMTJ2接入比較器進(jìn)行比較；得到數(shù)據(jù)讀出結(jié)果。本發(fā)明的一種基于磁性隧道結(jié)的位元電路及其讀出電路，具有實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，讀出速度快的優(yōu)點(diǎn)。?? |
