一種芯片封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910978107.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110676244A 公開（公告）日 2020-01-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN110676244A 申請(qǐng)公布日 2020-01-10
分類號(hào) H01L23/552（2006.01）; H01L23/485（2006.01）; H01L21/60（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李林萍; 盛荊浩; 江舟 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖州錦晟股權(quán)投資合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 杭州見聞錄科技有限公司
地址 313000 浙江省湖州市湖州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)康山街道紅豐路1366號(hào)3幢1219-11
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N芯片封裝方法及芯片封裝結(jié)構(gòu)，通過在晶圓的焊墊上設(shè)置鈍化層，然后在鈍化層上形成第一金屬鍵合層，在基板上形成第二金屬鍵合層，通過第一金屬鍵合層和第二金屬鍵合層的鍵合，將基板和晶圓鍵合封裝在一起，基板上設(shè)置有第一屏蔽層，所述第一屏蔽層與第二金屬鍵合層相接設(shè)置；在晶圓和基板鍵合后，對(duì)晶圓進(jìn)行半切割，切割到暴露第一金屬鍵合層，再形成第二屏蔽層，第二屏蔽層與第一金屬鍵合層電性連接，從而得到由第一屏蔽層、第二金屬鍵合層、第二屏蔽層和第一金屬鍵合層共同組成的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，該屏蔽結(jié)構(gòu)近似封閉，進(jìn)而提高了電磁屏蔽效果。